近赤外エバネッセント定在波を用いた半導体ウエハ表面の超解像光学式欠陥検査（第二報）

フィルタによるエラーの影響抑制

抄録

我々は近赤外の照明光を用いてシリコンウエハ表面にエバネッセント定在波を生成し，定在波の周期パターンを空間シフトさせ，複数画像を取得し，計算機による処理を加えることで，レイリー限界を超えた解像を行い，半導体欠陥検査に応用する方法を提案する．この手法によって高解像度かつシリコンの表面近傍の高SN比の情報を得ることができると考えられる．ローパスフィルタの導入によるエラーの影響抑制効果について調査した．