電子素子基板を用いた赤外フェムト秒レーザーによるレーザー誘起前方転写の試み

根本 慎二; 森田 雄一; 田辺 里枝; 多田 耕三; 伊藤 義郎

doi:10.11522/pscjspe.2011S.0.115.0

2011年度精密工学会春季大会

セッションID: B33

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2011S.0.115.0

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主催: 社団法人精密工学会

電子素子基板を用いた赤外フェムト秒レーザーによるレーザー誘起前方転写の試み

*根本慎二, 森田雄一, 田辺里枝, 多田耕三, 伊藤義郎

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キーワード: Si, Al2O3, SiO2, レーザー誘起前方転写, 赤外フェムト秒レーザー

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抄録

基板裏面の膜を透過レーザー光により背後の別基板へ転写するLIFT(Laser Induced Forward Transfer)という手法がある．Siの赤外光を透過するという性質を利用すればSi基板によるLIFTを行える可能性がある．本研究では，赤外フェムト秒レーザーを用いSi及びAl ₂O ₃，SiO ₂基板裏面Au膜のLIFTを試みた．またSi、Au間にSiO ₂膜を形成した基板に対してもLIFTを試みた．

責任著者(Corresponding author)

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