分子動力学法によるシリコン・カーバイドの延性モード加工への指針

抄録

シリコン・カーバイド（SiC）の延性モード加工を実現するための科学的な指針を得るため、分子動力学法を用いてSiCの極微小切削の解析を行なった。その結果、単結晶SiCの極微小切削では、ダイヤモンド工具のチッピングと摩耗のため材料除去が困難であるが、SiCの表面をイオン注入などによりアモルファスに改質し、その改質層を研削加工で除去することにより効果的な延性モード加工を実現できる結果となった。