パッシブTHz近接場顕微鏡における信号強度のプローブ高さ依存性

抄録

パッシブTHz近接場顕微鏡とは，常温熱励起された表面波をナノスケールで検出可能な顕微鏡である．金属や誘電体表面を計測する際，検出信号のプローブ高さ依存性を調べると，数10 nmで近接場信号が減衰したのち，1 μm以上では背景光に起因する定在波成分が発現する．この現象は，外部光源を使用しない本顕微鏡において非常に興味深い．本報では局在近接場成分，および上記定在波成分について理論的・実験的考察を行ったので報告する．