精密工学会学術講演会講演論文集
2012年度精密工学会秋季大会
セッションID: E04
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HWCVD法によるシリコン炭窒化膜の摩擦係数評価
*山田 知広川島 慎吾中上 昌俊門谷 豊和泉 亮
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キーワード: HWCVD法
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抄録
我々は、プラズマフリーで低温かつ大面積堆積が可能なホットワイヤーCVD(HWCVD)法により、シリコン炭窒化膜(SiCN)の研究を行ってきた。SiCN膜は耐食性に優れた透明絶縁膜である。本報告ではSiCN膜を機械加工分野で活用することを目的とし、SiCN膜の剥離強度、硬度、摩擦係数などシリコン炭窒化膜の特性について述べる。
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© 2012 公益社団法人 精密工学会
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