シリコンカーバイドのマルチワイヤ放電加工について

抄録

難削材として知られるシリコンカーバイド(SiC) のマルチワイヤ放電スライス技術を適用した結果について述べる．著者らは，□100mmの多結晶SiC に対して10並列放電スライシングに成功した．スライスした薄板の板厚は平均385um，板厚の標準偏差が5.8um であり，スライスした薄板ごとのばらつきは少ない．また，薄板ごとの板厚変動は11.2um，ワイヤ走行方向の反りは10umであった．