偏光特性を用いた低電圧駆動型強誘電体メモリデバイスの開発 （第1報）

偏光特性計測によるメモリ効果の観察

抄録

不揮発性強誘電体メモリは，強誘電体の自発分極を反転させて記録するため，駆動に抗電界以上の高電圧を印加する必要がある．また，分極反転には機械的変形を伴うため，材料の疲労により寿命が短いという問題点がある．そこで，抗電界以下でも生じる微小な分極状態の変化を偏光特性の変化として読み取ることで，抗電界以下で駆動するメモリデバイスを開発する．本報では，強誘電体の偏光特性におけるメモリ効果を観察する．