大気圧プラズマで活性化したAuスタッドバンプによる半導体レーザ素子の低温接合

山本 道貴; 佐藤 丈史; 日暮 栄治; 須賀 唯知; 澤田 廉士

doi:10.11522/pscjspe.2012A.0.759.0

2012年度精密工学会秋季大会

セッションID: K38

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2012A.0.759.0

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主催: 公益社団法人精密工学会

大気圧プラズマで活性化したAuスタッドバンプによる半導体レーザ素子の低温接合

*山本道貴, 佐藤丈史, 日暮栄治, 須賀唯知, 澤田廉士

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キーワード: Au-Au接合, 表面活性化接合, 半導体レーザ, 大気圧プラズマ

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抄録

平滑な表面を有するAuスタッドバンプを形成し，大気圧プラズマで活性化することで，大気中での半導体レーザ素子の低温接合を実現した．半導体レーザ素子のAu薄膜電極とAuスタッドバンプに，Ar＋O₂又はAr+H₂の大気圧プラズマを照射（照射時間:30s）して表面活性化接合（接合温度:150℃）を行った．MIL-STD-883G基準値を満足する十分な接合強度が得られ，半導体レーザ素子のL-I-V特性に大きな劣化は見られなかった．

責任著者(Corresponding author)

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