紫外光支援加工による2インチ単結晶SiCウェハの研磨特性

2012年度精密工学会春季大会

セッションID: O45

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

著者情報

会議録・要旨集フリー

詳細

抄録

われわれはこれまでに，紫外光支援加工を用いて，5ミリ角のSiC試料表面をサブナノメートルオーダに研磨することに成功している．本報告では，この紫外光支援加工を，研削面を前加工面とする2インチ単結晶4H-SICウェハに適用し，到達粗さ，削除率などの研磨特性を明らかにした．