量子分子動力学法によるCu配線の化学機械研磨プロセスシミュレーション

抄録

Cu化学機械研磨は半導体デバイスのCu配線形成法として広く採用されているダマシンプロセスにおいて必要不可欠な技術である。近年、Cu配線構造は微細化・高密度化が進みナノメートルオーダの配線幅・配線間隔に対応したCu化学機械研磨の開発が求められる。そのためにはCu化学機械研磨プロセスを電子・原子スケールで理解することが不可欠である。そこで、本研究ではCu化学機械研磨プロセスの理論的な解析を行うためTight-binding法に基づいた量子分子動力学法を用いて解析を行った。