赤外フェムト秒パルスレーザーによるシリコン基板裏面および背後の金薄膜加工

抄録

赤外フェムト秒パルスレーザーと顕微鏡を組み合わせた加工システムを構築し，Si基板表面側からレーザーを照射して，Si基板裏面および隙間を設けて設置した背後の金（Au）薄膜に対して，除去加工を行った．その結果，裏面Au薄膜に対しては照射パルス数100発以上で除去加工することができた．また，Si基板背後に隙間を設けて設置したAu薄膜に対しては単発照射で除去加工することができた．