半導体の線幅標準に関する研究（第11報）

STEM画像によるフォトレジスト表面ラフネスの推定

抄録

半導体産業の微細化に伴い，ナノメートルスケールの測定及び評価が必要とされている．我々は，試料を金属でコーティングし，高解像に撮影が可能なSTEM画像を用いることで形状測定を行う手法を提案してきた．本報では， STEM画像における形状測定と，AFMによる測定結果を比較することで，フォトレジストの表面ラフネスとSTEM画像輝度値グラフの関係性について調査する．また，STEM画像から表面ラフネスを推定する手法を検討する．