室温プラズマ酸化を援用した平坦SiC表面上へのグラフェン低温成長

酸化時のＣ原子の振る舞いについて

抄録

グラフェンは、その優れた電子移動度から、Siに代わる電界効果トランジスタのチャネル材料や高周波素子への応用が期待されている。現在注目されているSiCのSi昇華法によるグラフェン作製方法では、1200℃以上の高温プロセスを必要とする。我々は、原子レベルで平坦化されたSiC表面を用いて、大気圧での室温プラズマ酸化を併用することで、1000℃以下の加熱でグラフェンを作製するプロセスを提案する。