in-situ XPSを用いたGeO₂/Ge構造における濡れ性の微視的評価

吸着水がGeO₂の膜質に与える影響に関する考察

抄録

Geは次世代の高移動度半導体基板として期待されているが、デバイスプロセスが未成熟である。本研究では、放射光を光源とした“その場”X線光電子分光測定により、水蒸気とGeO₂/Ge構造の相互作用を観測した。具体的には、GeO₂表面の濡れ性に関する微視的性質を明らかにすると共に、吸着水がGeO₂の膜質に与える影響について考察を行った。