紫外光支援加工による大口径SiCウェハ研磨に関する研究

坂本 武司; 稲木 匠; 小田 和明; 峠 睦

doi:10.11522/pscjspe.2013S.0.613.0

2013年度精密工学会春季大会

セッションID: J09

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2013S.0.613.0

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主催: 公益社団法人精密工学会

紫外光支援加工による大口径SiCウェハ研磨に関する研究

*坂本武司, 稲木匠, 小田和明, 峠睦

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キーワード: 研磨, メカノケミカルポリシング, 紫外光, 光化学反応, 炭化ケイ素

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抄録

われわれはこれまで，紫外光支援加工を用いて2インチ単結晶4H-SiCウェハ表面をサブナノメートルオーダに研磨することに成功している．本報告では，紫外光によるSiCウェハの酸化膜の生成の確認とその生成深さをXPSを用いて計測し，メカニズムの検証を行うと共に，さらなる大口径化に向けた研磨システムの改良を行ったので報告する．

責任著者(Corresponding author)

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