同位体メタン系ガスを用いたアモルファス炭素膜の作製

抄録

本研究では高純度メタン(CH₄)，¹³Cメタン(¹³CH₄)及び重水素化メタン(CD₄)を用いてアモルファス炭素膜を作製し，各種分析を行うことで同位体元素の膜特性への影響を評価した．光学バンドギャップE_gの測定からは，CH₄，¹³CH₄，CD₄より作製した膜に対してそれぞれE_g = 1.69, 1.41, 1.64 eVを得た．更にバンドギャップ算出の際に用いた光吸収スペクトルの形状にも差が確認され，同位体元素が作製した膜の特性に影響を及ぼしていることが示唆された．