抄録
本研究ではSi基板上にAu(111)とPt(111)が交互に配列をしたバッファ層を創製することにより，高圧電性を示すPZT(111)とPZT(110)が交互に配列をしたPZT薄膜の創製を目的としている．そこでAu(111)とPt(111)のみを成長させるために，Si基板の自然酸化膜を除去することに着目し，さらにPZTの組成比をMPB組成比に制御し成膜を行う必要がある．本報告はHFを使用し酸化膜を除去したSi基板上にAu-Pt複合バッファ層を成膜し，その上にスパッタリングを用いてPZT薄膜の創製を行う．
