プラズマ援用研磨法の開発（第6報） PAPにおける4H-SiC（0001）の平滑化メカニズムの考察

鄧 輝; 山村 和也

doi:10.11522/pscjspe.2013S.0.965.0

抄録

4H-SiCの高能率・高品位研磨を実現するために，我々はプラズマ援用研磨法（PAP）を開発している． PAPを4H-SiCに適用したところ，スクラッチフリーな表面が得られた．ヘリウムベースの大気圧水蒸気プラズマを照射するとSiO2及びSi-C-Oを含む酸化層が生じ，酸化層とSiCの界面が平滑になった．この結果より、セリア砥粒研磨でSiO2とSi-C-Oを除去し，ステップ/テラス構造を有する原子レベルでの平滑なSiC表面が得られるという平滑化メカニズムを提案した．

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