CMPにおける研磨装置の挙動解析と研磨特性との関係 Si-CMPに及ぼすスラリー砥粒濃度の影響検討

畝田 道雄; 高橋 佳宏; 澁谷 和孝; 中村 由夫; 市川 大造; 石川 憲一

doi:10.11522/pscjspe.2014S.0_295

2014年度精密工学会春季大会

セッションID: D20

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2014S.0_295

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主催: 公益社団法人精密工学会

CMPにおける研磨装置の挙動解析と研磨特性との関係

Si-CMPに及ぼすスラリー砥粒濃度の影響検討

畝田道雄, *高橋佳宏, 澁谷和孝, 中村由夫, 市川大造, 石川憲一

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キーワード: ポリシング, 研磨レート, スラリー濃度, 摩擦係数, 多変量解析

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抄録

本研究ではCMPにおける研磨装置の挙動による影響因子を評価し，そのパラメータが研磨特性に与える影響について明らかにすることを目的とする．本報ではシリコンウェーハを対象として，スラリー濃度が研磨レート，摩擦係数，温度に与える影響を検討するとともに，多変量解析を用いて相互相関を体系的に検討した結果を明らかにしたことを述べる．

責任著者(Corresponding author)

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