水素プラズマ化学輸送法によるシリコンナノワイヤ成長

抄録

現在、太陽電池などに代表されるシリコン（Si）電子デバイスは、さらなる高性能化が求められている。これらを実現する新機能材料としてシリコンナノワイヤに注目が集まっているが、その成長にはSiH₄などの危険なガスを用いるのが一般的である。そこで我々は、独自技術である水素プラズマ化学輸送法を用いてSiH₄ガスを使うことなくSiナノワイヤの形成を試み、金属触媒テンプレート付き基板上への成長を確認した。