プラズマ援用研磨法の開発（第9報）

単結晶SiC-C面の平滑化における研磨材の最適化

抄録

単結晶SiC-C面の平滑化における最適な研磨材を探索するため、6時間熱酸化後のC面に対して、同じ研磨条件で3時間のセリアスラリー研磨とシリカスラリー研磨を行った。セリアスラリー研磨では、酸化膜の除去とともに、スクラッチフリーかつone-bilayerのステップ/テラス構造を有する表面が得られた。一方、シリカスラリー研磨では、酸化膜の除去は可能であるが、新たなスクラッチが導入され、原子レベルの平滑化には不適であることが分かった。