陽極酸化援用研磨法の開発（第2報） 陽極酸化における酸化膜界面粗さの酸化時間依存性

細谷 憲治; 今西 勇介; 遠藤 勝義; 山村 和也

doi:10.11522/pscjspe.2014S.0_641

2014年度精密工学会春季大会

セッションID: I04

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2014S.0_641

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主催: 公益社団法人精密工学会

陽極酸化援用研磨法の開発（第2報）

陽極酸化における酸化膜界面粗さの酸化時間依存性

*細谷憲治, 今西勇介, 遠藤勝義, 山村和也

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キーワード: SiC, 研磨, 陽極酸化

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抄録

単結晶SiCは広いバンドギャップ, 高い熱伝導率からパワーデバイス材料として注目されているが, 高硬度かつ化学的に安定なため加工が困難である. 我々は陽極酸化を援用して基板表面を軟質化し, 同時に母材より軟質な砥粒で研磨することで高能率・高品位な研磨を実現する手法を提案した. 本報では陽極酸化援用研磨において電流密度を変化した場合の酸化膜界面の粗さの変化を透過型電子顕微鏡により評価した.　

責任著者(Corresponding author)

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