ゲルマニウム/シリコン低温接合界面の評価

花田 隆一郎; 日暮 栄治; 須賀 唯知

doi:10.11522/pscjspe.2015S.0_315

2015年度精密工学会春季大会

セッションID: E61

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2015S.0_315

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

ゲルマニウム/シリコン低温接合界面の評価

*花田隆一郎, 日暮栄治, 須賀唯知

著者情報

キーワード: 表面活性化接合, プラズマ活性化接合

会議録・要旨集フリー

詳細

抄録

本研究ではp-Geウエハとn⁺-Siウエハを表面活性化接合（SAB），プラズマ活性化接合（PAB）で接合し，その接合界面の電気特性を評価した．SAB接合サンプルは抵抗値0.2 Ωのオーミック特性が得られ，PABでは他の論文にも報告されている整流特性が得られた．抵抗値0.2 ΩとCTLM 法による電極/半導体間の接触抵抗の計算値から，SAB接合サンプルの接合界面抵抗は0.004～0.016 Ωであり，SABにより電気的障壁の小さい低抵抗接合界面が得られていることが分かった．

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）