SiC表面のプラズマ酸化を援用した低ピット密度のグラフェン形成

抄録

グラフェンは、SiC表面を真空中で1000°C以上に加熱することにより得られる。しかし、得られるグラフェンに構造欠陥が多く含まれることが欠点である。我々は、SiC表面に予め、プラズマ酸化とフッ酸エッチングを施し、モノレイヤーレベルのC原子を堆積させることにより、その後の熱処理でピットの少ないグラフェンが得られることを見出した。本講演では、SiC表面を酸化した時のC原子の微視的な挙動について考察する。