高圧水素プラズマ化学輸送法によるSiナノワイヤの形成

原子状水素がNW-Si成長に及ぼす影響

抄録

本研究では，毒性のある原料ガスを一切用いない高圧水素プラズマ化学輸送法を利用し，直径や成長方向が任意に制御されたSiナノワイヤ(NW-Si)の形成を目指している．講演では，本手法を用いてプラズマ中で形成されるNW-Siの長さや密度のばらつきの発生には，プラズマ中の原子状水素が大きく関与していると考え，水素プラズマによる成膜前駆体生成とNW-Siの形成部分を分離することで原子状水素の影響の抑制を試みた．その結果について報告する．