ポリシング前後におけるスラリー中の研磨微粒子径に関する研究

永井 利幸; 八尋 新; カチョーンルンルアン パナート; 鈴木 恵友

doi:10.11522/pscjspe.2016S.0_371

2016年度精密工学会春季大会

セッションID: E78

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2016S.0_371

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主催: 公益社団法人精密工学会

ポリシング前後におけるスラリー中の研磨微粒子径に関する研究

*永井利幸, 八尋新, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

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キーワード: CMP, 動的光散乱法, 微粒子径, 材料除去メカニズム, スラリー

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抄録

CMPでは，複数の加工材料に対して最適なスラリーやポリシングパッドを適用させる必要がある．これらの部材を最適化するためには，材料除去メカニズムに基づき，スラリー中微粒子の種類や微粒子径，材質，薬液を選定することが重要である．そこで本研究では，サファイア，SiO2などの複数の基板に対して動的光散乱法（DLS）を用いて微粒子径の変化について評価したので報告する．

責任著者(Corresponding author)

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