MEMS引張試験技術による3C-SiC薄膜由来ナノワイヤの機械特性評価

抄録

Siの代替素材として注目されているワイドギャップ半導体のMEMS・NEMS適応サイズでの機械物性は未知なところが多い．本研究では，独自開発したMEMS引張試験技術を用い，3C-SiC薄膜からFIBサンプリングしたSiCナノワイヤに対して引張試験を行った．結果，ヤング率および破壊強度はそれぞれ288.5GPa，10GPaであった．ヤング率はSiC公称値より36％程度低かった．ナノインデンテーション試験結果と併せてFIBのダメージ層の影響を議論する．