レーザエッチングによるSiCの変質層除去及び鏡面化

抄録

従来、溶融アルカリを用いたウェットエッチングはSiCの結晶欠陥の評価を目的として使用されてきた。このSiCと溶融アルカリの反応を利用して、本研究ではこれまでに溶融KOHを用いたレーザエッチングがC面の鏡面化に有効であることを示した。本報では、レーザエッチングによるC面、Si面の変質層除去及び鏡面化の可能性について新たな検討を行ったので報告する。