量子分子動力学シミュレーションによる単結晶ダイヤモンド基板研磨プロセスの検討

抄録

高効率な単結晶ダイヤモンド基板研磨プロセスの確立のため，量子分子動力学シミュレーションを用いたプロセスの検討を行った。砥粒にSiO2，活性種にOHラジカルを用いて，(111)面と(100)面の異なる面方位が研磨プロセスに及ぼす影響について検討した。(111)面はOHラジカルとの化学反応性が低いのに対して，(100)面はOHラジカルとの化学反応によって基板表面の酸化が観察された。この表面酸化が研磨プロセスに及ぼす影響について発表する。