大気圧プラズマプロセスをベースとした単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー平坦化・平滑化（第7報） プラズマエッチング反応領域の制限によるエッチピット成長の抑制

道上 久也; 遠藤 勝義; 山田 英明; 茶谷原 昭義; 杢野 由明; 山村 和也

doi:10.11522/pscjspe.2016S.0_851

2016年度精密工学会春季大会

セッションID: O37

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2016S.0_851

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主催: 公益社団法人精密工学会

大気圧プラズマプロセスをベースとした単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー平坦化・平滑化（第7報）

プラズマエッチング反応領域の制限によるエッチピット成長の抑制

*道上久也, 遠藤勝義, 山田英明, 茶谷原昭義, 杢野由明, 山村和也

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キーワード: 単結晶ダイヤモンド, 大気圧プラズマ, エッチング, 平坦化, PCVM, ダメージフリー

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抄録

我々は次世代半導体材料として有望な単結晶ダイヤモンド基板の平坦化手法としてマイクロ波プラズマジェットを用いた数値制御PCVM法の適用を検討している．ダイヤモンドにプラズマエッチングをおこなうと表面に大型のエッチピットが導入されることが問題であったが、プラズマエッチングの反応領域をラジカル密度が高いプラズマジェットの中央部付近のみに制限することで大幅にエッチピットの成長を抑制することに成功した．

責任著者(Corresponding author)

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