紫外線励起加工の研究（第20報）

紫外線励起下における4H-SiCウェハーの研磨特異性（その1）

抄録

紫外線励起加工の基礎研究の一環として，4H-SiC表面で起こる化学反応をXPS，ICPSにより推測し，4H-SiCウェハーの紫外線励起下の化学機械研磨現象を検証した．市販品に，SiO，SiO_xなどのスペクトルがみられた．空気中でSi面に紫外線を照射すると，SiO₂が生成する．0-2μmダイヤモンド砥粒のみによる研磨では，削り残しが生じる．紫外線を照射した7nmTiO₂-Cathilon-H₂Oスラリー中で，28.8nmダイヤモンド砥粒を使用して研磨すると，粗さは0.5nmRa程度となり，SiCとSiO₂にスペクトルがみられるSi面となる．