サブ大気圧プラズマを用いたプラズマエッチングによる2インチSiC基板の高能率加工

抄録

SiCデバイス製造工程においてサブ大気圧プラズマを用いたプラズマエッチング加工を検討している。加工速度の向上と加工中のウエハ割れの解消を目的として2インチ全面電極を開発した。また、高濃度SF₆ガスを用いた加工における加工速度の評価を行った。圧力を下げることで分子1個当たりに与えられるエネルギーが増加した結果、SF₆濃度100%の条件でも安定したプラズマ加工が実現し、2インチSiCウエハ全面薄化加工速度5.8 μm/minを達成した。