多数のH原子の照射により生成するSi表面H終端構造の第一原理計算に基づく解析

抄録

Si表面に多数のH原子が照射し生成される表面構造や表面を終端するHの表面拡散特性を解析した結果について述べる。またこれに基づいてHプラズマによるSi表面エッチング機構についても考察する。