フラックス法におけるGaN結晶成長促進機構の解明

第一原理分子動力学法シミュレーションによる研究

抄録

第一原理分子動力学シミュレーションを用いて、窒化ガリウム（GaN）のNaフラックス成長に対する結晶成長促進機構に関して研究を行った。GaNa合金メルト中への窒素溶解の促進機構、および、炭素添加による多結晶成長の抑制および単結晶成長促進の原子レベルでの要因解明とその反応性を支配する要因について、N-N結合、および、C-N結合の形成と解離のための活性化自由エネルギーを体系的に計算することにより、明らかにしたので報告する。