Siウエハ薄化プロセスに向けた高密度水素プラズマエッチング技術の開発

抄録

近年、大規模集積回路の二次元面内での集積化の限界から、チップの三次元積層技術の開発が進められている。中でもウエハ薄化技術の重要性は非常に高く、我々はマイクロ波水素プラズマを用いたSiウエハ薄化法の確立を目指している。本手法は、廉価、無毒性の水素のみを用いた低温、高能率、無歪み加工プロセスである。本発表では、Siウエハ薄化への可否を判断するために必要なSiの加工特性を調べたのでその結果を報告する。