狭ギャップ水素プラズマを用いたオンサイト生成SiH4によるシリコンエピ成長

武居 則久; 垣内 弘章; 安武 潔; 大参 宏昌

doi:10.11522/pscjspe.2017A.0_477

2017年度精密工学会秋季大会

セッションID: G28

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2017A.0_477

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2017年度精密工学会秋季大会

開催地: 大阪大学

開催日: 2017/09/20 - 2017/09/22

狭ギャップ水素プラズマを用いたオンサイト生成SiH₄によるシリコンエピ成長

*武居則久, 垣内弘章, 安武潔, 大参宏昌

著者情報

キーワード: プラズマ, CVD, シリコン, 薄膜

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抄録

我々は，金属級Siから高純度Siを生成する手法として，大気圧プラズマ化学輸送法 (APECT法) を提案している．本研究では，SiH₄の高効率・大量生成が可能なスリット型プラズマ源によりオンサイト生成したSiH₄を利用して，熱CVDによるエピタキシャルSi膜の形成を試みた．さらに，得られた膜質，成膜速度等を市販のボンベSiH₄で作製したSi膜と比較したので，その結果について述べる．

責任著者(Corresponding author)

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