精密工学会学術講演会講演論文集
2017年度精密工学会春季大会
セッションID: G65
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紫外線励起加工の研究(第22報)
紫外線励起下における4H-SiCウェハーの研磨特異性(その3)
*田中 武司滝沢 優畑 彰宏
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抄録
4H-SiCの表面を,XAS とXPSにより定性的に分析し,4H-SiCの研磨において,どのような反応生成物が除去されるかを推考した結果,次のような結論を得た.4H-SiCはTiO2-Cathilon水溶液に極微量溶ける.供試品を混合水溶液に浸漬すると,SiCの中に界面酸化物が生じる.混合スラリーで研磨すると,4H-SiCの表面に,酸化物,酸窒化物,窒化物が生じ,界面酸化物も生じる.28.8 nmのダイヤモンド砥粒を混入した混合スラリーで研磨すると,Raで約0.5 nm前後の粗さの面を試行的に得ることができる.
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© 2017 公益社団法人 精密工学会
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