SiCのレーザ援用研磨加工に関する研究

高橋 尚也; 豊川 陽佑; 山田 洋平; 池野 順一

doi:10.11522/pscjspe.2017S.0_519

2017年度精密工学会春季大会

セッションID: G64

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2017S.0_519

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2017年度精密工学会春季大会

開催日: 2017/03/13 - 2017/03/15

SiCのレーザ援用研磨加工に関する研究

*高橋尚也, 豊川陽佑, 山田洋平, 池野順一

著者情報

キーワード: SiC, レーザ, 研磨, 酸化膜

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抄録

近年，シリコンに代わる次世代半導体基板としてSiCが注目されている．半導体基板にはナノメートルオーダの平坦化が求められるが，難加工材であるため研削研磨加工に多くの時間と工程を要している．そこでSiC表面に酸化膜であるSiO2を生成することで軟化できれば，容易に加工ができると考えた．本報ではエネルギ密度の高いUVレーザをSiC表面に照射して高速に酸化膜を生成し，同時に砥石で除去する高速加工法について提案する．

責任著者(Corresponding author)

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