異なる被覆層を有するSiC表面上に形成したグラフェンの構造比較

抄録

超高真空中でSiCを高温加熱すると、グラフェンが形成される過程でSiC表面にピット等の欠陥が形成される。一方で我々は、プラズマ酸化を援用し、SiC表面上に薄いC堆積層が形成すると、欠陥密度が低いグラフェンが得られることを示唆してきた。今回は、フッ化性ガス中に設置することにより、不活性ガスにより被膜されたSiC表面を加熱するなど、被膜層の種類が得られるグラフェンの構造に与える影響について調査した。