弾性パッドによるSiCの砥粒レス研磨加工に関する研究

抄録

SiCのCMPは砥粒や雰囲気によって表面を酸化させ除去する研磨原理が一般的である。本研究では砥粒を用いないCMPの開発を試みている。本報ではSiC表面と弾性パッドを摩擦させ形成した酸化膜を弾性パッドで除去すると共に保持し、その後次々と供給され保持される酸化膜でSiC表面を研磨していく新たな方法を提案する。