紫外線励起加工の研究（第24報） 4H-SiCウェハーへの研磨適用性の追究と化学状態のXAFS検証

田中 武司; 滝沢 優; 畑 彰宏

doi:10.11522/pscjspe.2018S.0_507

2018年度精密工学会春季大会

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2018S.0_507

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2018年度精密工学会春季大会

開催地: 中央大学

開催日: 2018/03/15 - 2018/03/17

紫外線励起加工の研究（第24報）

4H-SiCウェハーへの研磨適用性の追究と化学状態のXAFS検証

*田中武司, 滝沢優, 畑彰宏

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キーワード: 量子化学, 紫外線励起, 光触媒, 蛍光材料, 化学状態, 炭化ケイ素ウェハー

会議録・要旨集フリー

p. 507-508

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抄録

光触媒とCathilonを用いて4H-SiCを研磨し，紫外線励起研磨の適用性の追究と研磨面の化学状態の分析を行っている．TiO₂スラリーは大きな研磨効率と研磨面粗さをもたらす．Cathilonスラリーは小さな研磨効率と研磨面粗さをもたらす．大きな研磨効率と小さな研磨面粗さが混合スラリーをもちいたとき得られる．混合スラリーを用いたとき，研磨面に生成した酸化物がダイヤモンドにより容易に除去されることを，SiC中の酸化物が少ないことが示している．

責任著者(Corresponding author)

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