グラフェン・アシストエッチングによるGe表面の選択領域加工

抄録

グラフェン触媒と接触したGe表面は水中で選択的にエッチングされる．これにより，従来の金属アシストエッチングとは異なり，メタルフリー条件での半導体表面の加工が可能となる．この現象を半導体表面の選択領域加工に応用するため，フォトリソグラフィのレジスト上にグラフェンを堆積し，レジストをリフトオフすることによるグラフェンのパターン形成を試みた．今回は，本手法を用いた選択領域加工に取り組んだ結果を報告する.