IBAD法による窒化炭素膜の作製に及ぼす加速電圧の影響

田中 一平; 原田 泰典

doi:10.11522/pscjspe.2019A.0_7

2019年度精密工学会秋季大会

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2019A.0_7

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主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2019年度精密工学会秋季大会

開催地: 静岡大学

開催日: 2019/09/04 - 2019/09/06

IBAD法による窒化炭素膜の作製に及ぼす加速電圧の影響

*田中一平, 原田泰典

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キーワード: 窒化炭素, IBAD, PVD

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p. 7-8

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抄録

窒化炭素はダイヤモンドを凌ぐ硬度を有する可能性がある材料である．本研究はイオンビーム支援蒸着報を用いてg-C ₃N₄を蒸着原料に用いて，窒化炭素の作製に及ぼすイオンビームの加速電圧の影響について検討した．硬質窒化炭素の蒸着原料にg- C ₃N₄を用いたイオンビーム支援蒸着法によって窒化炭素の作製を行った．加速電圧は200～1000Vと変化させた．得られた窒化炭素膜は窒素濃度が20～40％と高窒素含有率を示し，20GPa以上の硬度を示した．

責任著者(Corresponding author)

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