Agナノワイヤ援用型化学エッチングによるSi(111)表面上へのナノ溝形成

抄録

我々は、三種類のウェットエッチングを複合的に用い、Si表面にナノメートル幅の溝構造を自己組織的に作製する試みを進めている。先ず、Si(111)表面にステップ/テラス構造を作製し、そのエッジ部のみにAgを自己組織的にメッキする。形成したAgナノワイヤを援用した化学エッチングにより、溝構造の形成を試みた。その結果、幅約10nm、深さ約2nmでミシン目状のナノ溝構造がSi(111)表面上に形成されていることを確認した。