プラズマ酸化を援用した低欠陥グラフェン/SiC構造の形成

ラマンスペクトルに基づくグラフェン移動度の考察

抄録

我々はこれまでに、プラズマ酸化を援用した手法により、ピット密度が低いグラフェン／SiC構造の形成に成功した。ラマン分光測定におけるD/Gピーク比より、得られたグラフェンが低欠陥であることを示唆する結果も得た。一方、応用上重要な電気的性質（移動度）については不明確である。今回は、ラマンスペクトルの2Dピークを解析することにより、間接的ではあるが、形成したグラフェンの移動度を評価する試みを報告する。