第一原理計算による酸化セリウム－半導体基板表面間の吸着エネルギー解析

抄録

CMP後洗浄で半導体基板表面から除去すべき汚染物の一つに残留酸化セリウム砥粒がある。酸化セリウム砥粒の基板への吸着強さは基板表面の材料や結晶面、酸化セリウムの還元状態によって変化する可能性があるが、それらがどのように影響するかはよくわかっていない。そこで本研究では基板と酸化セリウムの間の吸着エネルギーを様々な条件に対して第一原理計算で求め、どのような場合に吸着が強くなるのかを考察した。