シリコンウェーハの両面研磨加工におけるウェーハ平坦性向上

抄録

半導体デバイスの基板材料であるシリコンウェーハには高い平坦性が求められるが，その両面研磨加工工程では，ウェーハ面内で均一な加工量分布を得ることが難しい．そのため平坦性が悪化しやすく，特に，ウェーハ半径方向に厚さむらが生じて加工後のウェーハが凸形状となることが問題となっている．本研究では，両面研磨加工におけるウェーハの平坦性向上を目的に，ウェーハ半径方向の加工量分布に対する加工条件の影響を検討した．