水分子吸着がGeO₂/Ge界面特性に与える影響の超精密計測とその考察

抄録

GeO₂/Ge界面は大気に触れると正の固定電荷が生成されることが知られている。我々はこの現象をGeO₂膜内に浸透した水分子によるものだと予想し、制御された湿度雰囲気下に曝された履歴を持つGeO₂/Ge界面の帯電特性をMOS構造のCapacitance-Voltage （C-V）曲線により評価することを試みた。C-V測定の結果、高い湿度に曝された履歴を持つGeO₂/Ge MOS構造はC-V曲線が負方向にシフトするという傾向が確認された。これは、水分子吸着が正帯電に寄与していることを示唆する。