レーザ後方散乱光に基づくガラスマイクロクラック深さ計測のための3次元電磁場解析

抄録

ガラスレンズの研削加工時に形成されるマイクロクラックの除去に必要な研磨量を推定するために，任意方向に進展するクラック深さを計測する必要がある．本研究では，レーザ照射時に発生する後方散乱光が遠方場に形成するパターンに基づく計測方法を提案する．パターンとクラック深さの関係を解明するために，深さだけでなく進展方向も考慮した３次元電磁場解析を行った．本報では，パターンとクラック深さの関係を明らかにした．