DN4Cを用いた薄膜干渉による濃度ムラ虚報へ対応可能な半導体ウェハ検査手法

抄録

半導体ウェハ検査処理は検査対象ダイ画像と評価ダイ画像の濃度比較法が用いられるのが一般的だが、調整できるパラメータは濃度しきい値のみであるため薄膜干渉による濃度ムラ虚報に対応できない。一方、 DNNと最近傍識別器を組み合わせた手法であるDN4Cではアノテーションを与えて学習することで細かい調整が可能である。本研究では、濃度ムラ虚報に対応するためDN4Cを半導体ウェハ検査に適用しその結果を報告する。評価の結果、従来手法に比べてDN4Cは濃度ムラ虚報に対する適応能力が高いことが確認できた。